技術(shù)編號:6949619
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù),尤其涉及。 背景技術(shù)在快速發(fā)展的半導體制造工業(yè)中,互補式金屬一氧化物一半導體晶體管 (complementary metal oxide semiconductor ;CMOS)鰭式場效晶體管裝置是受到許多邏輯元件及其他應(yīng)用的偏好,并且被整合至各種不同類型的半導體裝置。鰭式場效晶體管裝置通常具有多個半導體鰭狀物,其形成是垂直于基底的上表面,并具有高的高寬比,而半導體晶體管裝置的溝道區(qū)與源極/漏極區(qū)是形成于上述半導體鰭狀物中。鰭狀物...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。