技術(shù)編號：6947858
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體組件，特別是涉及一種改善電容特性與最佳化導(dǎo)通電阻的橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體組件。背景技術(shù)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(laterally diffused metal-oxide-semiconductor, LDM0S)組件是一種常見的半導(dǎo)體功率組件。由于橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體組件具有水平式的結(jié)構(gòu)，容易制造且易于和現(xiàn)行的半導(dǎo)體技術(shù)整合，進(jìn)而減少制作成本。同時，其可以耐較高的崩潰電壓而具有高的輸出功率，因此被廣泛應(yīng)用于功...
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