技術(shù)編號：6947425
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種MOS器件結(jié)構(gòu)及其制作工藝，尤其涉及一種防止浮體效應(yīng) (Floating Body Effect)及自加熱效應(yīng)(Self-heating Effect)的MOS器件結(jié)構(gòu)及其制作 工藝，屬于半導(dǎo)體制造。背景技術(shù)SOI (Silicon On Insulator)是指絕緣體上硅技術(shù)，由于SOI技術(shù)減小了源漏的寄 生電容，SOI電路的速度相對傳統(tǒng)體硅電路的速度有顯著的提高，同時SOI還具有短溝道效 應(yīng)小，很好的抗閉鎖性，工藝簡單等一系列優(yōu)點，因此S...
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