技術(shù)編號(hào)：6947278
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管和一種制備薄膜晶體管的方法。 背景技術(shù)近年來(lái)，由組成式IrvxGaxO3(ZnO)ω(0 < χ < 2并且m為自然數(shù))表示的非晶 In-Ga-Zn-O基同系氧化物材料(以下，稱(chēng)為“ IGZO基氧化物材料”或有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為“ IGZ0”) 在其結(jié)晶狀態(tài)已經(jīng)引起了關(guān)注。來(lái)自東京技術(shù)研究所(Tokyo Institute of Technology)的Hosono等報(bào)道了 非 晶IGZO基氧化物材料表現(xiàn)出與半導(dǎo)體的電阻率值類(lèi)似的...
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