技術(shù)編號：6947122
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種SiC材料歐姆接觸電極的制備方法，屬于光電子器件。 背景技術(shù)二十世紀九十年代初，以氮化物為代表的第三代寬帶隙半導體材料獲得了歷史性 突破，在GaN(氮化鎵)基材料上成功地制備出綠色、藍色和紫色LED，使得LED白光照明成 為可能。從1971年第一只GaN LED管芯到1994年，GaN HEMT出現(xiàn)了高電子遷移率的藍光 GaN基二極管，GaN半導體材料發(fā)展十分迅速，市場需求驅(qū)動力十分大，將取代白熾燈和日 光燈成為照明市場的主導，具有巨大發(fā)展空...
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