技術(shù)編號：6946898
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種光電元件及其制造方法，特別是指一種。背景技術(shù)傳統(tǒng)的發(fā)光二極管包括一有源區(qū)、設(shè)置于有源區(qū)相對兩側(cè)的一 η型氮化鎵 (n-GaN)層及一 ρ型氮化鎵(p_GaN)層，其中，η型氮化鎵(n-GaN)層相對有源區(qū)的外側(cè)上設(shè)置有一 η型電極，ρ型氮化鎵(p-GaN)層相對有源區(qū)的另一外側(cè)上設(shè)置有一 ρ型電極。η 型電極及P型電極通電后，使η型氮化鎵(n-GaN)層與ρ型氮化鎵(p_GaN)層之間產(chǎn)生電勢，使電子自η型電極通過η型氮化鎵(n-GaN)層流...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。