技術(shù)編號(hào):6945821
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體器件,尤其涉及一種垂直超結(jié)雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器 件及制造方法。背景技術(shù)垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(vertical double-diffusedmetal-oxide-semico nductor, VDM0S)器件作為功率電子的重要基礎(chǔ),以其高耐壓、高頻等特性常用于功率集成 電路和功率集成系統(tǒng)中。垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的耐壓區(qū)決定著垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體的 一些電學(xué)性能,例如,耐壓區(qū)的耐壓能力與它的摻雜濃度及厚度有關(guān),垂...
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