技術編號：6945783
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及銦砷(InAs)量子點發(fā)光器件，具體包括InAs量子點半導體激光器、半 導體發(fā)光二極管、超輻射發(fā)光管以及半導體光放大器。背景技術量子點結構是目前能帶工程的一個重要組成部分，也是研究的前沿熱點。與體材 料、量子阱和量子線相比，量子點作為一種零維半導體材料，具有類似于原子的分離能級和 態(tài)密度分布，載流子在三個維度上都受到了很強的量子限制作用，其電學性質和光學性質 得到顯著改善。因此，采用量子點有源區(qū)結構的半導體激光器、半導體發(fā)光二極管、超輻射 發(fā)光管...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。