技術(shù)編號(hào)：6945633
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及Si光電子材料，尤其涉及一種具備雜質(zhì)深能級(jí)的晶體硅光 伏電池的制備方法。背景技術(shù)硅太陽電池是當(dāng)今光伏市場(chǎng)上的主體，而晶體硅太陽電池又是轉(zhuǎn)化效率最高的， 它的世界紀(jì)錄為24. 7%。它在600 900nm波段具有很高的量子效率，而在llOOnm以上則 因禁帶寬度而不能吸收，在300以下則無法充分利用單一光子的能量。因此，要繼續(xù)提高電 池效率，就必需在長波和短波段下功夫。多能級(jí)光吸收是一種寬譜的光吸收方法[1]，能否在Si材料中實(shí)現(xiàn)多能級(jí)光吸收 一直...
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