技術(shù)編號：6945632
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，具體來說，涉及一種可集成于柵極替代工藝中的半導(dǎo)體結(jié)型二極管器件及其制造方法。背景技術(shù)在VLSI (Very Large Scale Integrated Circuits，超大規(guī)模集成電路設(shè)計)以及模擬電路設(shè)計中，二極管器件的應(yīng)用是非常必要的，比如靜電放電(ESD，Electr0 Static Discharge)和肖特基二極管(Schottkey diode)等應(yīng)用。目前，傳統(tǒng)的二極管器件主要是利用MOSFET的源極...
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