技術(shù)編號：6945551
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及金屬氧化物半導體場效應晶體管(M0SFET)，具體涉及低阻高壓N型 MOSFET (NM0S)。背景技術(shù)對于采用BiCMOS或BCDMOS工藝制造的橫向高壓MOSFET，低導通電阻和高壓是兩 個主要的設(shè)計因素。圖1示出了一種傳統(tǒng)的橫向型高壓NM0S。圖2A、2 B示出了制造過程 中的兩個工藝步驟用于描述傳統(tǒng)高壓N型MOSFET (NMOS)的結(jié)構(gòu)特點。如圖1所示，高壓 NMOS包含一 P型襯底，在P型襯底上含一 P阱和一 N阱。NMOS進一步包含...
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