技術(shù)編號：6945384
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種縱向金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Vertical M0SFET)，具體 地來說涉及一種深溝槽功率M0SFET。背景技術(shù)在功率電子領(lǐng)域中，功率M0SFET被廣泛應(yīng)用在開關(guān)器件結(jié)構(gòu)中。為了讓開關(guān)器件 的功能得到良好的發(fā)揮，功率M0SFET需要滿足兩個(gè)要求1、當(dāng)器件處于導(dǎo)通狀態(tài)，能擁有 非常低的導(dǎo)通電阻，最小化器件本身的功率損耗；2、當(dāng)器件處于關(guān)斷狀態(tài)，能擁有足夠高的 反向擊穿電壓。Yung C.Liang提出一種在低壓范圍內(nèi)替代超結(jié)(Super...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。