技術(shù)編號(hào)：6944773
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及氮化鎵基發(fā)光二極管，尤其是一種高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管及其制 備方法。背景技術(shù)目前，藍(lán)綠光LED使用的都是基于GaN的III-V族化合物半導(dǎo)體材料；由于GaN 基LED外延片的P-GaN層空穴濃度小，且P型層厚度要小于0. 3 y m，絕大部分發(fā)光從P型 層透出，而P型層不可避免地對(duì)光有吸收作用，導(dǎo)致LED芯片外量子效率不高，大大降低了 LED的發(fā)光效率。采用IT0層作為電流擴(kuò)展層的透射率較高，但導(dǎo)致LED電壓要高一些，壽 命也受到影響。另外，在...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。