技術(shù)編號(hào)：6944379
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及橫向半導(dǎo)體部件，特別是功率半導(dǎo)體部件。 背景技術(shù)功率半導(dǎo)體部件是通常具有低摻雜漂移區(qū)的部件。如果部件阻斷(block)，則空 間電荷區(qū)在漂移區(qū)中傳播，該漂移區(qū)因此用于吸收在部件阻斷時(shí)的阻斷電壓(blocking voltage)。為了獲得高電壓阻斷性能，功率半導(dǎo)體部件的漂移區(qū)由單晶半導(dǎo)體材料組成。如 果施加電子電壓，單晶半導(dǎo)體材料具有低的泄漏電流，因此能夠形成具有高電壓阻斷性能 的尺寸。然而，單晶半導(dǎo)體材料難以產(chǎn)生并且只能通過(guò)沉積工藝的方式產(chǎn)生在...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。