技術(shù)編號(hào)：6944375
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件技術(shù)，特別有關(guān)于一種具有高崩潰電壓(Breakdown Voltage collector-emitter-open，以下簡稱為BVceq)的基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (Complementary Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱為CMOS)的橫向雙極結(jié)型晶體管 (Lateral Bipolar Junction Transistor,以下簡稱為 LBJT)及其制造方法。背景技術(shù)本領(lǐng)域的技術(shù)人員都熟知，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。