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具有遷移率優(yōu)化取向的半導(dǎo)體納米線及其形成方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6943820

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件,尤其涉及具有遷移率優(yōu)化取向的半導(dǎo)體納米線及其制造 方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體納米線是指橫向側(cè)面尺寸和垂直尺寸在納米級(jí)(10_9米)或數(shù)十納米級(jí)的 半導(dǎo)體線。橫向側(cè)面尺寸和垂直尺寸一般小于20nm。側(cè)面尺寸限制適用于橫向側(cè)面尺寸(寬)和垂向側(cè)面尺寸(高)。半導(dǎo)體納米線 的縱側(cè)尺寸(長(zhǎng))不受限制,例如可以從lnm到1mm。當(dāng)半導(dǎo)體納米線的側(cè)面尺寸小于幾十 納米時(shí),量子力學(xué)效應(yīng)變得顯著。因此,半導(dǎo)體納米線也被稱為半導(dǎo)體量子線。半導(dǎo)體納米線的橫向側(cè)...
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