技術(shù)編號(hào):6943243
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有氮化物系半導(dǎo)體層的。 背景技術(shù)以往,已知有具有氮化物系半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了如下半導(dǎo)體裝置(HJFET 異質(zhì)外延結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管),其具 備由SiC構(gòu)成的基板、形成于基板上的緩沖層、形成于緩沖層上的由GaN構(gòu)成的通道層 (channel layer)、形成于通道層上的由AlGaN構(gòu)成的勢(shì)壘層(barrier layer)、形成于勢(shì)壘 層上不同位置的源電極、漏電極和柵電極。進(jìn)一步,專利文獻(xiàn)1的半導(dǎo)體裝置在通道層和柵 ...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。