技術編號：6943238
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及。 背景技術氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導體材料，以其禁帶寬度大(3. 4eV)、擊穿電壓高(3. 3MV/cm)、二維電子氣濃度高(> IO13Cm2)、飽和電子速度大O. 8X 107cm/s)等特性在國際上受到廣泛關注。目前，AlGaN/GaN HEMT器件的高頻、高壓、高溫以及大功率特性使之在微波功率器件方面有著巨大的前景。雖然鋁鎵氮/氮化鎵(AWaN/GaN)HEMT功率器件(高電子遷移率晶體管)的性能近年來...
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