技術(shù)編號：6942484
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造具有頂部和底部接觸結(jié)構(gòu)的GaN基垂直結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件以及一 種用于制造垂直結(jié)構(gòu)器件的方法。背景技術(shù)圖1示出在絕緣藍(lán)寶石襯底114上制造的傳統(tǒng)氮化鎵(GaN)基(GaN-based)半導(dǎo) 體器件100。該器件可應(yīng)用于諸如發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HBT)、和高電子遷移率晶體管(HEMT)。在傳統(tǒng)工藝中，該器件形成在藍(lán)寶石襯底上，并且兩 個電接觸部形成于器件的頂部上。P型接觸部(p-contact)102形成在頂...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。