技術編號：6941940
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，特別涉及碳化硅半導體裝置的終端結(jié) 構的制造方法。背景技術作為襯底材料使用了碳化硅(SiC)的半導體裝置(碳化硅半導體裝置)與使用了 作為現(xiàn)有襯底材料的硅(Si)的半導體裝置(硅半導體裝置)相比，已知是耐電壓特性和溫 度特性優(yōu)越的半導體裝置，并且提出了各種各樣的碳化硅半導體裝置，但實現(xiàn)可經(jīng)受實用 的碳化硅半導體裝置仍然存在許多需要解決的問題。作為這些問題中的一個，例如存在由 于集中于SBD (Schottky Barrier Diode，肖特基勢...
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