技術(shù)編號：6941491
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，并且尤其涉及包含氧化物半導(dǎo)體薄膜層的半 導(dǎo)體器件的制造方法，其中氧化物半導(dǎo)體薄膜層主要包括氧化鋅。背景技術(shù)諸如氧化鋅或氧化鋅鎂(magnesium zinc oxide)的氧化物作為半導(dǎo)體(有源層) 具有極優(yōu)的特性，這已經(jīng)為公眾所知許多年了。最近幾年中，為了將這種半導(dǎo)體薄膜層應(yīng)用 于電子器件，例如薄膜晶體管(以下縮寫為TFT)、光發(fā)射器件和透明導(dǎo)電膜，已經(jīng)對使用這 些化合物的半導(dǎo)體薄膜層進(jìn)行了活躍的研究和開發(fā)。與具有非晶硅(a-SiH)半導(dǎo)體薄...
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