技術編號：6941374
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種根據(jù)權利要求1前序部分的半導體系統(tǒng)，特別是功率半導體系統(tǒng)。背景技術從US 6，624，216公知如下的半導體系統(tǒng)。在該公知的半導體系統(tǒng)中，在半導體的 設有觸點的上側與由箔片復合體形成的電連接裝置之間的底填充物(UnterfUllimg)由環(huán) 氧樹脂組成。尤其是在功率半導體系統(tǒng)中，在運行中出現(xiàn)相對高的溫度。已知的用來進行底填充的環(huán)氧樹脂必須大多在_40°C的溫度下保存在冷凍狀態(tài) 下。在實踐中，可以將材料最多解凍三次。否則環(huán)氧樹脂的性質改變，特別...
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