技術(shù)編號(hào):6941258
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件及其形成方法,特別是涉及一種非揮發(fā)性記憶體及其形成方法。背景技術(shù)非揮發(fā)性記憶體由于具有可多次進(jìn)行資料的存入、讀取、抹除等動(dòng)作,且存入的資料在斷電后也不會(huì)消失的優(yōu)點(diǎn),因此,非揮發(fā)性記憶體被廣泛使用于個(gè)人電腦和電子設(shè)備寸寸。隨著非揮發(fā)性記憶體的集積度的日益提升,其尺寸例如位元線(xiàn)的寬度也必須隨之縮小。然而,位元線(xiàn)的寬度變窄會(huì)造成其阻值的上升,使得記憶胞的電流變小而導(dǎo)致過(guò)高的位元線(xiàn)負(fù)載(bit line loading)。倘若利用增加位元線(xiàn)...
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