技術(shù)編號：6940836
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子，具體涉及一種MOS晶體管結(jié)構(gòu)及其制備方法，特別涉及一種基于Nix-III_V元素的納米線MOS晶體管結(jié)構(gòu)，同時，本發(fā)明還提出了所述基于Nix-III-V元素的納米線MOS晶體管結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)常規(guī)的金屬_氧化物_半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管(簡稱MOS晶體管)是采用離子注入的方法形成源區(qū)和漏區(qū)，采用重?fù)诫s的多晶硅做柵極。因此，需要進(jìn)行高溫(約IOO(TC )后退火處理來激活摻雜，以消除離...
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