技術編號：6940806
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種基于氮化物的半導體發(fā)光二極管(LED)。在基于氮化物的半導體 LED中，將優(yōu)先發(fā)光的ρ電極焊盤周圍的面積擴大，以提高光提取效率，并且防止局部電流 擁擠(local currentcrowding)，以減小驅動電壓。背景技術由于諸如GaN的III-V族氮化物半導體具有良好的物理及化學特性，所以它們被 認為是發(fā)光裝置(例如，發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD))的基本材料。由III-V族氮 化物半導體形成的LED或LD被廣泛地用在發(fā)光裝置中，...
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