技術(shù)編號(hào):6939946
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制備工藝,尤其涉及一種碰撞電離場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Impact-Ionization M0S, M0S)的制備方法。背景技術(shù)為了提高超大規(guī)模集成電路的性能和集成度,CMOS器件的特征尺寸在不斷縮小。然而在器件尺寸縮小的過程中,卻面臨著嚴(yán)重的功耗問題。隨著器件尺寸的減小,電源電壓Vdd和閾值電壓Vth不斷減小,驅(qū)動(dòng)電流I。n不斷增大,但是亞閾值斜率(SubthresholdSwing, SS)無法等比例減小,反而會(huì)增大,導(dǎo)致泄漏電流I。ff...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。