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一種自對(duì)準(zhǔn)制備平面碰撞電離場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6939946

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本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制備工藝,尤其涉及一種碰撞電離場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Impact-Ionization M0S, M0S)的制備方法。背景技術(shù)為了提高超大規(guī)模集成電路的性能和集成度,CMOS器件的特征尺寸在不斷縮小。然而在器件尺寸縮小的過程中,卻面臨著嚴(yán)重的功耗問題。隨著器件尺寸的減小,電源電壓Vdd和閾值電壓Vth不斷減小,驅(qū)動(dòng)電流I。n不斷增大,但是亞閾值斜率(SubthresholdSwing, SS)無法等比例減小,反而會(huì)增大,導(dǎo)致泄漏電流I。ff...
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