技術(shù)編號(hào)：6939654
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作，特別涉及。 背景技術(shù)在集成電路制作中，淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用以將形成在硅基底上的元件與其他元件隔 離。已有技術(shù)一般采用硅的局部氧化(L0C0S)、選擇性多晶硅氧化(SEPOX)，凹槽多晶硅隔 層(RPSL)LOCOS等，而LOCOS法又是其中使用最廣泛的一種。但是，LOCOS隔離也存在某些問題。亦即，當(dāng)生長場氧化膜時(shí)，在襯墊氧化膜和氮 化物膜之間的界面，或者在硅襯底和襯墊氧化膜之間的界面會(huì)產(chǎn)生“鳥嘴”，并滲透進(jìn)有源 區(qū)而使得電路可靠性降低。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。