技術編號：6939647
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于電子功能材料與器件領域，具體涉及一種采用稀土金屬氧化物CeO2薄 膜作為緩沖層以降低相變存儲器單元操作功耗的方法，該方法完全滿足硅集成工藝的技術 要求。背景技術相變存儲器(PCM)主要是利用某些材料在特定的電流脈沖之下會具有快速且可 逆的相變化效應，進而導致材料在某些特性上的穩(wěn)定改變來達到存儲效果，此外其最終的 狀態(tài)并不會隨著外加能量的消失而改變，因此具有非揮發(fā)性的特點。PCM技術憑借其在讀取 速度、可靠度、非破壞性讀取、非揮發(fā)性、尺寸微小化以及...
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