技術(shù)編號(hào)：6938912
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及III族類氮化物半導(dǎo)體器件以及制造該器件的方法。本申請(qǐng)是基于在此處引用的日本的專利權(quán)申請(qǐng)No.平11-130475和11-266499。III族類氮化物半導(dǎo)體器件，例如藍(lán)光發(fā)射器件等等，是通過下列步驟生產(chǎn)的通過金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積方法(在這個(gè)說明書中縮寫為“MOCVD方法”)在一個(gè)藍(lán)寶石基片上生長(zhǎng)一AlxGa1-xN(0≤X≤1)的緩沖層；以及通過相同的MOCVD方法在該緩沖層上更進(jìn)一步生長(zhǎng)一個(gè)III族類氮化物復(fù)合的半導(dǎo)體層。在這種MOCVD方法...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。