技術(shù)編號：6938882
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種檢測鎳鉬去除裝置的方法。 背景技術(shù)隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，半導(dǎo)體的制造工藝得到了飛速的發(fā)展，在半導(dǎo)體的制 造流程中，涉及自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成。目前自對準(zhǔn)硅化物的形成多通過鎳硅化合物來 實現(xiàn)，但是在整個工藝制程中，鎳硅化合物并不具備足夠穩(wěn)定的耐熱性來滿足各種制程溫 度的要求。因此，通過在鎳硅化合物中加入少量的鉬(約5%)，來大幅增加合成金屬硅化 物薄膜的熱穩(wěn)定性，然后再去除合成金屬硅化物薄膜中的鎳和鉬。傳統(tǒng)的鎳去除方法...
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