技術(shù)編號(hào):6938617
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù),特別涉及一種。 背景技術(shù)隨著電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用,半導(dǎo)體的制造工藝得到了飛速的發(fā)展,半導(dǎo)體器件的 特征尺寸也越來(lái)越小,半導(dǎo)體器件中的器件層制作也變得越來(lái)越重要。這里的器件層指的 是在半導(dǎo)體襯底上進(jìn)行源極、漏極及柵極的制作。圖Ia If所示為現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體器件的器件層制作的剖面結(jié)構(gòu)圖?,F(xiàn)有技術(shù)半 導(dǎo)體器件的器件層制作過(guò)程包括以下步驟步驟一,在半導(dǎo)體器件襯底101上進(jìn)行雙阱工藝,定義CMOS的有源區(qū),如圖Ia所 示,在半導(dǎo)體器件襯底10...
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