技術(shù)編號(hào)：6938616
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作，具體涉及。 背景技術(shù)刻蝕指的是有選擇地去除淀積在硅片表面的互連材料，以形成由光刻技術(shù)生成的 電路圖形?？涛g工藝分為兩種干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài) 中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過(guò)光刻膠中開出的窗口，與硅片發(fā)生物理和/或化學(xué)反應(yīng)， 從而去掉曝露的表面材料。在半導(dǎo)體制造的金屬化過(guò)程中，為了增加互連金屬如鋁的抗腐蝕能力，通常會(huì)在 鋁墊上方增加兩層鈍化層，稱為第一鈍化層和第二鈍化層，其中，第二鈍化層位于第一鈍化 層下方，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。