技術(shù)編號(hào)：6937506
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化合物半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)領(lǐng)域，尤其是涉及。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體照明工程的逐步展開，以GaN、 SiC為代表的第三代寬禁帶化合物半導(dǎo)體也受到了越來越多的重視。目前，由于寬禁帶化合物半導(dǎo)體體單晶制備較為困難，尤其是三族氮化物還基本上處于薄膜生長(zhǎng)階段，而且大都在異質(zhì)襯底上獲得，因此嚴(yán)重影響了半導(dǎo)體材料的晶體質(zhì)量。為了制備三族氮化物基LD ( Laser Diode )、 HEMT ( High Electron MobilityTransistor )、 F...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。