技術(shù)編號：6937501
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種制造具有不大于2.4的低介電常數(shù)(對半導(dǎo)體器件有用)的介電絕緣膜的方法，以及使用所制造的介電絕緣膜形成氣隙(air-gap)的方法，其中，制造介電絕緣膜的方法包括使用配置有雙起泡器(bubbler)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor d印osition， PECVD)裝置并通過執(zhí)行電感耦合等離子體快速熱退火(inductivelycoupled plasma-r即...
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