技術(shù)編號：6937441
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)一種半導(dǎo)體沉積制作工藝，且特別是有關(guān)于一種利用等離子體化學(xué)氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapordeposition，簡稱PECVD)沉積薄膜的方法。而為了降低反應(yīng)所需的溫度，以達(dá)到調(diào)降制作工藝熱預(yù)算(thermal budget)的目的，所謂的“等離子體化學(xué)氣相沉積法”已逐漸成為主要的薄膜沉積制作工藝之一。通常在等離子體化學(xué)氣相沉積腔體(PECVD chamber)內(nèi)，于基板上沉積薄膜的方法包括施行等離子體化...
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