技術編號:6937286
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種氮化鎵基化合物半導體發(fā)光器件。更具體地說,本發(fā)明涉及一種 面朝上(face-up)型氮化鎵基化合物半導體發(fā)光器件,其配置有具有優(yōu)良透光性和歐姆特 性的正電極。背景技術近年來,GaN基化合物半導體材料作為用于短波長發(fā)光器件的半導體材料吸引了 人們的注意力。通過金屬有機化學氣相沉積方法(MOCVD方法)、分子束外延(MBE方法) 等,在各種氧化物襯底例如藍寶石晶體或者III-V族化合物襯底上形成GaN基化合物半導 體。 GaN基化合物半導體材料的...
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