技術(shù)編號：6936835
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及對被處理基板實(shí)施等離子體處理的技術(shù)，尤其涉及電 容耦合型的等離子體處理裝置及等離子體處理方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件或FPD (Flat Panel Display平板顯示器)的制造工 藝中的蝕刻、沉積、氧化和濺射等的處理中，為了在處理氣體中以比 較低的溫度進(jìn)行良好的反應(yīng)經(jīng)常利用等離子體。在現(xiàn)有技術(shù)中，在枚 頁式的等離子體處理裝置、尤其是等離子體蝕刻裝置中，電容耦合型 的等離子體處理裝置已成為主流。一般來說，電容耦合型的等離子體處理裝置在作為真空腔...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。