技術(shù)編號：6936138
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造iii-v族化合物半導(dǎo)體襯底的方法、制造 外延晶片的方法、ni-v族化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶片。特別地，本 發(fā)明涉及制造m-v族化合物半導(dǎo)體襯底的方法、制造外延晶片的方法、 iii-v族化合物半導(dǎo)體襯底和外延晶片，所述半導(dǎo)體襯底和外延晶片適用于諸如場效應(yīng)晶體管(FET)和高電子遷移率晶體管(HEMT)的裝置。 背景技術(shù)III-V族化合物半導(dǎo)體襯底在便攜式電話領(lǐng)域中具有高性能 的放大功能和轉(zhuǎn)換功能，因而將所述III-V族化合物半導(dǎo)體襯底用作無 ...
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