技術(shù)編號(hào):6936129
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體功率器件的單元結(jié)構(gòu)和器件構(gòu)造及工藝制造方法。特別涉 及一種具有改進(jìn)的雪崩擊穿特性的溝槽MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的結(jié)構(gòu) 及其利用三層掩模板的制造方法。背景技術(shù)美國(guó)專利公開(kāi)號(hào)US. 6,888,196公開(kāi)了一種溝槽MOSFET的結(jié)構(gòu)及制造方法,如圖 IA所示。該溝槽MOSFET的結(jié)構(gòu)包括N+導(dǎo)電類型的襯底100 ;N導(dǎo)電類型的外延層102 ;多 個(gè)溝槽柵105 ;P導(dǎo)電類型的體區(qū)103以及N+導(dǎo)電類型的源區(qū)104。其中...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。