技術(shù)編號：6935099
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，更具體而言，涉及一種具有 隧道結(jié)的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件。背景技術(shù)關(guān)于在其作為光輸出側(cè)的一側(cè)含有p型氮化物半導(dǎo)體層的氮化物半導(dǎo) 體發(fā)光二極管器件而言，通常需要形成在p型氮化物半導(dǎo)體層上的p側(cè)電 極滿足以下三個條件。第一個條件是p側(cè)電極具有關(guān)于從氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管器件發(fā)出 的光的高透射率。第二個條件是p側(cè)電極具有允許注入電流在發(fā)光層的平 面內(nèi)充分?jǐn)U散的電阻和厚度。第三個條件是p側(cè)電極具有相關(guān)于p型氮化 物半導(dǎo)體層的低的接...
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