技術(shù)編號:6934792
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路工藝及結(jié)構(gòu),且特別涉及一種動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM) 的冠狀電容器制作工藝,以及應(yīng)用于冠狀電容器型DRAM的電容器結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)DRAM的存儲單元基本上包含MOS晶體管及與之耦接的電容器?,F(xiàn)今DRAM的電容 器分為冠狀電容器及溝槽式電容器兩種,前者于先進DRAM工藝中較占優(yōu)勢。 圖1A IF繪示已知DRAM冠狀電容器制作工藝的剖面圖。 請參照圖1A,首先提供由內(nèi)含源/漏極接觸窗(未繪示)的目標(biāo)層102、模板層 104與支撐層106組...
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