技術編號：6934408
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及。具體地，本發(fā)明涉及具有場漏(fied drain)結構的高擊穿電壓。 背景技術已知具有場漏結構的高擊穿電壓半導體器件。在日本專利申請公 開2005-183633中的背景技術中描述了一種晶體管，來作為半導體器件 的實例。圖1是示出具有典型場漏結構的高擊穿電壓晶體管的橫截面 圖。在這種晶體管中，第二導電類型的源極區(qū)140、包圍源極區(qū)140的 第一導電類型的區(qū)120、第二導電類型的高濃度漏極區(qū)160、以及包圍 漏極區(qū)160的第二導電類型的低濃度場區(qū)1...
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