技術(shù)編號(hào)：6934304
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，尤其是一種具有高組件密度 的。背景技術(shù)金氧半導(dǎo)體組件依據(jù)其電流走向的不同，可區(qū)分為平面式(planar)與垂直式 (vertical)兩種。在平面式金氧半導(dǎo)體組件中，源極與汲極設(shè)置于半導(dǎo)體底材的同一個(gè)平 面上，以產(chǎn)生水平方向的導(dǎo)通電流。相比之下，垂直式金氧半導(dǎo)體組件的源極與汲極則是分 別設(shè)置于半導(dǎo)體底材的上表面與下表面，以產(chǎn)生垂直方向的導(dǎo)通電流。對(duì)于水平式金氧半導(dǎo)體組件而言，其耐壓取決于源極與汲極間的通道寬度。相比 之下，垂直式金氧半導(dǎo)體組...
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