技術(shù)編號(hào)：6933497
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。更具體地，本發(fā)明涉及具有至少 包括第一鰭和第二鰭的鰭場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)在半導(dǎo)體裝置中，例如，場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)提供為用作高頻放大元 件、開關(guān)元件等的半導(dǎo)體元件。通過(guò)使用諸如GaAs或者InP的化合物半導(dǎo) 體制造的FET被頻繁地采用，這是因?yàn)樗梢栽诟哳l區(qū)域中獲得高的增益， 并且具有良好的線性。對(duì)于半導(dǎo)體裝置，需要最小化半導(dǎo)體元件以提高集成度。在上述FET中，為了最小化而使柵極長(zhǎng)度變得更小。然而，該柵極長(zhǎng)度的降低通常導(dǎo)致 特性...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。