技術(shù)編號：6933486
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，更具體 涉及一種抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶體缺陷、改善電性能以及 提高發(fā)光效率的。 背景技術(shù)通常，GaN基半導(dǎo)體被用于光器件領(lǐng)域，例如藍(lán)色/綠色發(fā)光器 件(LED )、高速開關(guān)元件例如MESFET (金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、 HEMT(高電子遷移率晶體管)等，以及作為高功率器件的電子器件。在一般類型的GaN基半導(dǎo)體LED中，GaN基半導(dǎo)體LED通過 以下方法來制造，該方法包括在低生長溫度下在襯底(例如，藍(lán)寶 石襯底或SiC襯底)上生長多...
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