技術編號：6933460
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體元件、例如具有形成于半導體基板的貫通孔中的貫通電 極的。背景技術首先參照圖13說明現(xiàn)有的半導體元件及其制造方法。此外，圖13是現(xiàn)有的半導體元件的貫通電極附近的、在包含半導體基板2 的厚度方向的平面切斷的簡要的剖視圖。首先，利用干法蝕刻工藝等在已形成蝕刻掩模的半導體基板2的原材料上 形成貫通孔1。接著，利用CVD(化學氣相沉積Chemical Vapor Deposition)法等在貫通孔 1的側(cè)壁面沉積絕緣膜(圖中省略)，在該絕緣膜上形成籽...
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