技術(shù)編號(hào)：6933107
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別是涉及高耐壓功率用半導(dǎo)體裝置。 背景技術(shù)圖49是整體用700標(biāo)示、傳統(tǒng)的橫向n溝道IGBT(絕緣柵雙極 型晶體管)的頂視圖；此外，圖50是從X-X方向看圖49的截面圖。如圖50所示，IGBT 700包含p型襯底l。 n層2設(shè)置在p型村 底l中，此外在n—層2內(nèi)形成n型緩沖層3。此外，在n型緩沖層3 中形成p型集電極層4。另一方面，在n-層2中，與p型集電極層4相隔規(guī)定的距離，形 成p型基極層5。在p型基極層5內(nèi)，n型發(fā)射極層(n+...
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