技術(shù)編號(hào)：6932760
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到一種半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體的制造方法。具體來說，本發(fā)明涉及 到一種在制造半導(dǎo)體器件的方法中減少互連材料(導(dǎo)體)的方法。背景技術(shù)正如公開號(hào)為2004-71956的日本尚未審核的專利申請(qǐng)所描述的，通過蝕刻 步驟，灰化步驟和沖洗步驟，暴露的互連的銅(Cu)很易被氧化。 一般來說， 作為在互連層上發(fā)泡步驟的預(yù)處理，在用還原性氣體，包含NH3及類似惰性氣 體加熱襯底的狀態(tài)下實(shí)施還原處理，以達(dá)到除去銅(Cu)互連的氧化部分，或 使用氬(Ar)等離子的濺射法除去...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。