技術(shù)編號(hào)：6932694
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種MOS器件，具體涉及一種橫向功率MOS器件。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體行業(yè)的迅猛發(fā)展，以大功率半導(dǎo)體器件為代表的電力電子技術(shù)迅速發(fā)展，應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，如交流電機(jī)的控制，打印機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。在現(xiàn)今各種功率器件中， LDMOS具有工作電壓高，工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，因此LDMOS具有廣闊的發(fā)展前景。在LDMOS器件設(shè)計(jì)中，擊穿電壓和導(dǎo)通電阻一直都是人們?cè)O(shè)計(jì)此類器件時(shí)所關(guān)注的主要目標(biāo)，外延層的厚度、摻雜濃度、漂移區(qū)的長(zhǎng)度是LDMOS最重要的參數(shù)。現(xiàn)有技術(shù)有報(bào)道在...
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