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硅膠保護(hù)的發(fā)光二極管芯片及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6932431

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本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管芯片及其制造方法。 背景技術(shù)采用襯底剝離的方法制備GaN基垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管是目前最常用的方法。這種方法需要將一塊基板 與外延片鍵合在一起,然后去除外延生長(zhǎng)所用的襯底。在鍵合面上經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)縫隙、氣泡等缺陷,再加上 GaN外延層本身又薄又脆,因此對(duì)后續(xù)的芯片制造,包括劃片、分選、翻膜、封裝等工序帶來(lái)很多困難, 經(jīng)常出現(xiàn)芯片裂或者碎的情況,嚴(yán)重影響芯片制造的良品率。而且由于GaN本身的材料特性,即使不采用 剝離技術(shù)制備的芯片也在分選、封...
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